我的简历
应届生 | 博士 | 海淀区
编    号:N122756 性    别:
出生日期:1994/1/15 婚姻状况:未婚
国    籍:中国 民    族:汉族
身    高:159CM 政治面貌:党员
教育程度:博士(毕业 2021年5月) 高级选项:不限
毕业学校:中国科学院大学 所学专业:半导体材料与器件
户    籍:衡水市 现居住地:海淀区
求职意向
期望工作性质:全职 期望工作地区:太原市
期望从事行业:电子技术/半导体/集成电路,电子技术/半导体/集成电路 期望从事职业:技术研发工程师,科研人员
期望薪水:月薪15000人民币 期望岗位名称:工艺设计师
自我评价/职业目标
自我评价:工作方面:在硕博期间不到 3 年的时间里通过独立设计并完成了 5 个课题项目的研究,具备扎实的半 导体器件研发基础,以及较强的分析和解决问题的能力;
学习方面:学习能力强,具有很快的接受新知识的能力; 
性格方面:沉稳踏实,做事全力以赴,具有很强的吃苦和抗压能力。
职业目标:   我是一个做事全力以赴的人,一旦踏入岗位,肯定会一直坚持下去,并尽全力做到最好。
   第一年:初步学习,对岗位相关的知识和技能进行深入学习,并灵活运用到工作中,能够负责部分工作的独立开展;
   第二年:独立负责,能够把自己职责范围内的工作全部能够独立承担责任;
   第三年及往后:深化发展,在自己以往经验的基础上,不断深化自己的专业技能,争取做得更加专业,脚踏实地地为公司做出一些实实在在地产品或成果出来。
教育背景
  • 学校名称:
  • 河北大学 ( 2012年9月 - 2016年7月 )
  • 专业名称:
  • 物理学
  • 学历:
  • 本科
  • 所在地:
  • 河北省保定市
  • 证 书:
  • 国家励志奖学金,校级一、二等奖学金,省级三好学生、校级三好学生以及优秀学生干部等奖项
  • 专业描述:
  • 通过对半导体器件物理,半导体物理,固体物理,力热光电,四大力学以及高等数学等专业课的学习,掌握物理电子学的基本理论、基本知识,并具有一定的基础科学研究能力。
  • 学校名称:
  • 中国科学院大学 ( 2016年9月 - 2018年5月 )
  • 专业名称:
  • 半导体材料与器件
  • 学历:
  • 硕士
  • 所在地:
  • 北京市海淀区中关村北一条
  • 证 书:
  • 中国科学院大学三好学生
  • 专业描述:
  • 硕士期间的工作主要集中在二维半导体电子以及光电子器件的工艺制备和性能研究。
    主修课程:半导体器件物理,半导体物理,半导体工艺与制造,纳米器件与微纳加工等课程
  • 学校名称:
  • 中国科学院大学 ( 2018年9月 - 2021年5月 )
  • 专业名称:
  • 半导体材料与器件
  • 学历:
  • 博士
  • 所在地:
  • 北京市海淀区中关村北一条
  • 证 书:
  • 中国科学院大学三好学生,中心主任奖学金
  • 专业描述:
  • 博士期间工作主要集中在新型二维半导体材料的可控制备及器件应用研究,旨在通过工艺及器件结构优化实现高性能半导体的电子、光电子器件应用。
    主修课程:半导体器件物理,半导体物理,半导体工艺与制造,固体物理等课程
语言能力
  • 语种名称
  • 掌握程度
  • 英语
  • 良好
职业技能
职业技能:1.掌握半导体物理以及半导体器件物理知识,熟悉半导体工艺制造流程;
2.掌握半导体电子以及光电器件从器件制备,性能测试分析以及工艺优化的整个流程;
3.熟练使用半导体器件的电学和光电测量平台(Keithley 4200)进行器件功能的测试;
4.熟悉电子束曝光(EBL),光刻,等离子体刻蚀(RIE), 离子束注入,热蒸镀,电子束蒸镀,磁控溅射等器件加工工艺技术;
5.掌握化学气相沉积(CVD),物理气相沉积(PVD)以及原子层沉积(ALD) 的材料生长方法; 
6.熟悉使用半导体工艺和器件仿真软件Silvaco TCAD,并了解传统Si基电子和光电器件的工艺和器件仿真流程(比如MOSFET,PN diode,LED);
7.掌握扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM),电学测量平台(Keithley 4200),X射线衍射分析(XRD),拉曼光谱仪(Raman)和光致发光光谱(PL)等表征手段;
8.掌握使用L-Edit软件画mask的能力,进行过简单的TFT,MOSFET的版图设计;
9.熟悉Linux系统基本操作以及Gvim编辑器;
10.熟悉利用Verilog 设计经典的数字逻辑电路(如全加器,译码器,D触发器等)以及有限状态机(比如自动售货机)。
项目经验
  • 项目名称:
  • IGZO 场效应晶体管的工艺与性能优化 ( 2019年11月 - 2020年2月 )
  • 项目描述:
  • 为提前了解企业的集成电路技术,自己利用业余时间设计了基于IGZO TFTs 的集成电路。
    通过自主学习PECVD技术,磁控溅射技术以及光刻版图设计,制备了基于IGZO TFTs 的集成电路,经过对制备条件的整体优化,得到了高性能的IGZO TFTs,迁移率μ:7.5cm2V-1s-1,阈值电压Vth:20V,开关比 on/off ratio:1010,亚阈值摆幅SS:500mV/dec。
  • 责任描述:
  • 在本项目中本人主要是作为Leader的角色统筹整个项目。
    负责整个实验的设计和操作以及后续的器件的制备和性能优化。
  • 项目名称:
  • 基于铋氧类化合物Bi2O2Te的光电晶体管的研究 ( 2019年10月 - 2020年2月 )
  • 项目描述:
  • 通过CVD 方法开发了一种新型宽带隙的二维材料Bi2O2Te,经过EBL, ALD,Thermal evapation 等一系列加工技术制备了FETs,经过对制备的光电器件测试和性能优化,实现了超快响应速度的紫外探测性能(~258us)。
  • 责任描述:
  • 该工作是与外校团队合作进行的项目,在本项目中本人既是Leader之一也是高效的执行者角色。
    主要负责材料的表征,器件制备以及性能分析。
  • 项目名称:
  • 新型二维p型导电材料 α-MnS的开发以及光电性能研究 ( 2019年1月 - 2019年8月 )
  • 项目描述:
  • 首次发现并通过CVD可控制备了一种新型p型导电二维材料 α-MnS,经器件制备和性能探测分析得到优异的光电性能和良好的柔性性能。有效并及时地缓解了目前二维半导体领域p型材料紧缺的问题。该项工作被发表在SCI期刊ACS Nano (IF=14.58),并得到业界老师的多次引用和好评。
    首先对于制备,针对非层状材料二维化生长的困难,通过设计实验引入卤化物(比如NaCl, KCl)来降低二维生长的能量势垒,有效地实现了非层状材料的二维化生长;
    然后,通过EBL, ALD, Thermal evapation等一些列加工技术,制备了基于α-MnS的
    Top-gating FETs, 并对晶体管器件的电学以及光电性能做了系统研究和分析,得到了优异的p-type的导电性能,并在473 nm得到了很好的光响应;
    最后,通过柔性测试,发现该材料在柔性可穿戴器件等领域具有可观的发展潜力。
  • 责任描述:
  • 在本项目中本人主要是作为Leader的角色统筹整个项目。
    负责课题的设计,实验方案设计,材料制备和表征,器件的制备和性能测试分析以及论文撰写的整个流程。
  • 项目名称:
  • 基于Te/MoS2范德华异质结构的红外探测器 ( 2017年10月 - 2018年12月 )
  • 项目描述:
  • 通过设计一种新型的器件结构,实现了小型化且同时具有高探测性能的红外探测器。这个工作已被SCI期刊 Applied Physics Letters接收,并被评选为该期刊的封面文章。
    首先利用CVD合成单层MoS2纳米片,然后再利用PVD在合成的MoS2纳米片的表面范德华外延生长Te纳米线阵列,通过EBL,Thermal evapation等一些列加工技术制备了基于Te/MoS2范德华异质结构的光电探测器。实现了在通信波段1550 nm的高性能探测,达到了超高的光响应度(>103A/W),探测度(>1013 Jones)以及快速的响应时间(~15 ms)。
  • 责任描述:
  • 在本项目中本人主要是作为Leader的角色统筹整个项目。
    负责课题的构想,实验设计,材料制备和表征,器件的制备和性能测试分析,论文撰写整个流程。
所获证书
  • 证书名称
  • 获得时间
  • 成绩
  • 中心主任奖学金
  • 2019年11月
  • 中国科学院大学三好学生
  • 2019年8月
  • 省级三好学生
  • 2016年6月
  • 全国大学生数学竞赛三等奖
  • 2015年10月
  • 国家励志奖学金
  • 2015年6月
  • 全国计算机等级二级
  • 2015年9月
  • 大学英语六级
  • 2016年2月
附加信息
  • 著作/论文:
  • 1. 截止目前,硕博期间以第一作者身份已发表SCI 论文2篇,在投2篇;并且以第一作者身份申请2项国家发明专利,其中1项发明专利已授权;
    2. 本科以专业第一的成绩保研至中科院,研究生的专业成绩排名第三。期间多次获得国家励志奖学金,中心主任奖学金,校级一、二等奖学金,省级三好学生、校级三好学生以及优秀学生干部等奖项。
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